La technique de lithographie + gravure est le procédé le plus répandu pour la réalisation de circuits semi-conducteurs. La lithographie consiste à altérer une résine sensible par une …
L'invention propose un matériau oxyde semi-conducteur, un procédé de fabrication d'un tel matériau oxyde semi-conducteur, un dispositif électronique et un transistor à effet de champ. …
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend un support, un premier élément semi-conducteur supporté par ledit support, et une première feuille de liaison …
Le procédé de fabrication des semi-conducteurs est complexe et implique plusieurs étapes, notamment le dépôt de couches minces de matériaux sur une plaque de silicium, la …
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un semi-conducteur à oxyde, le procédé comprenant : l'implantation ionique d'un ion de métal de transition au voisinage de la …
Un objectif de la présente invention est de fournir une technique de prédiction de fluctuations dans les caractéristiques électriques d'un transistor à semi-conducteur vertical lorsqu'elle …
Le but de la présente invention est de fournir un élément semi-conducteur en diamant, un instrument électromécanique et un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur en …
Semi-conducteurs : que sont-ils, comment fonctionnent-ils et pourquoi sont-ils essentiels à la technologie moderne ? Découvrez les applications des semi-conducteurs en électronique
4 Vannes de contrôle de procédé. Les vannes de contrôle de procédé sont généralement utilisées pour réguler la pression, le niveau de fluide, le débit de fluide ou la température dans une …
Wafers photolithographiés.. La photolithographie est l'ensemble des opérations permettant de transférer une image (généralement présente sur un masque) vers un substrat.Cette …
Ce procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant une puce à semi-conducteur comprend une étape de positionnement de la puce à semi-conducteur de telle …
Le boîtier du semi-conducteur est considéré comme le premier niveau d'interconnexion, tandis que la carte de circuit imprimé et le boîtier final sont respectivement …
L'invention concerne un procédé de fabrication pour un dispositif semi-conducteur optique qui est un procédé de fabrication pour un dispositif semi-conducteur optique qui recouvre un élément …
La fabrication des semi-conducteurs s'effectue dans une usine dédiée et nécessite un large éventail de composants : plaquettes de silicium, masques photographiques, divers gaz et …
Le dispositif comprend un substrat semi-conducteur, au moins une couche d'électrode de grille, et une couche diélectrique partiellement située entre la couche d'électrode de grille et le substrat. …
La photolithographie est un procédé utilisé en microfabrication pour transférer des motifs géométriques sur un film ou un substrat. Les formes géométriques et les motifs sur un semi …
La fabrication d'un semi-conducteur est un processus complexe qui comprend plusieurs étapes cruciales, allant de l'extraction du matériau de base à la création de composants électroniques sophistiqués.
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, son procédé de fabrication et un appareil électronique. Le dispositif à semi-conducteur comprend une pluralité d'unités de stockage qui …
La présente invention concerne : un procédé de meulage d'un cristal semi-conducteur, le procédé étant en mesure d'obtenir une précision de meulage supérieure par commande de la …
La présente invention concerne un procédé d'évaluation de dispositif à semi-conducteur dans lequel une ligne de transmission (2) est disposée sur la surface d'un substrat (1), et une puce …
La fabrication d'un semi-conducteur est un processus complexe qui comprend plusieurs étapes cruciales, allant de l'extraction du matériau de base à la création de composants électroniques sophistiqués. L'un des semi …
Le processus de fabrication des semi-conducteurs implique une série d'étapes interconnectées qui garantissent l'efficacité, le rendement, la sécurité et la qualité. Parcourez notre sélection ci …
Le but de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur qui présente un faible taux de défauts et est mince. Le procédé de fabrication d'un …
L'invention concerne un procédé de chauffage optique grâce auquel il est possible de chauffer efficacement un corps à traiter comprenant un semi-conducteur au SiC de type n. Le procédé …
Dans au moins un mode de réalisation, le procédé sert à fabriquer un composant semi-conducteur optoélectronique (1) et comprend les étapes suivantes consistant à : A) fournir une …
L'invention concerne la production d'un dispositif semi-conducteur permettant d'éviter toute détérioration d'un condensateur ferroélectrique et un procédé destiné à la production de ce …
Afin de prolonger le cycle de nettoyage de gaz pour un dispositif de formation de film, un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprend : un procédé d'in
the present invention since a plurality of chip parts are laminated together and are finally crimped after being divided into provisional crimping laminated chip parts, generation
Le procédé 800 nm (procédé 800 nanomètres) est un niveau de technologie de procédé des semi-conducteurs qui a été atteint dans la période 1987-1990 par des sociétés telles qu'Intel, …
Découvrez le processus complexe de fabrication des semi-conducteurs, de la formation des couches au dopage, et comment il alimente l'électronique moderne.
La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un appareil à semi-conducteur, et un boîtier de dispositif microélectronique. La présente invention permet de …
WO2023032025A1 PCT/JP2021/031871 JP2021031871W WO2023032025A1 WO 2023032025 A1 WO2023032025 A1 WO 2023032025A1 JP 2021031871 W JP2021031871 W JP …
Une plaquette de semi-conducteur recouverte d'une couche mince dure protectrice sur la surface est découpée en une pluralité de puces de manière que la couche mince protectrice ne se …
WO2013058070A1 PCT/JP2012/074591 JP2012074591W WO2013058070A1 WO 2013058070 A1 WO2013058070 A1 WO 2013058070A1 JP 2012074591 W JP2012074591 W JP …
La présente invention divulgue un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprend : une étape de préparation …
